AOS表示：“最小的最小導通時間可實現12V總線的低輸出電壓，從而使該器件成為采用深亞微米工藝的下一代SoC，FPGA和ASIC的合適電源轉換器。”

AOZ6762DI和AOZ6763DI分別能夠提供2A和3A的輸出功率，最高輸出功率為15W。

AOZ6763D-塊兩個內部MOSFET均為n溝道，并通過自舉驅動上晶體管。在這兩種情況下，高端MOSFET均為145mΩ，同步整流器分別為90mΩ或80mΩ。

輸入范圍為4.5V至18V，輸出范圍為0.6V至Vin的65%。

滿載時可實現> 90%的效率，并包含專有的“脈沖能量模式”(PEM)，以在10mA負載下維持高達86%的效率–“此功能使系統設計人員能夠實現所需的低待機功耗滿足“一瓦特倡議”。

封裝為3 x 3mm DFN 8引線封裝，帶有裸露的散熱墊–進入四層2盎司銅PCB的熱上升為50°C / W。這兩款器件均聲稱在15W時可實現57°C的溫升。

可用外部補償，允許瞬態響應和輸出紋波與各種輸出濾波器進行交換。

AOS市場經理Kenny Hu說：“高固定頻率工作和30ns的最低最小可控導通時間等特性使AOZ6762DI和AOZ6763DI特別適合對噪聲敏感的應用，例如無線路由器和音頻應用。”

預測的其他應用包括機頂盒，電纜調制解調器和液晶電視。AOS表示：“最小的最小導通時間可實現12V總線的低輸出電壓，從而使該器件成為采用深亞微米工藝的下一代SoC，FPGA和ASIC的合適電源轉換器。”

AOZ6762DI和AOZ6763DI分別能夠提供2A和3A的輸出功率，最高輸出功率為15W。

AOZ6763D-塊兩個內部MOSFET均為n溝道，并通過自舉驅動上晶體管。在這兩種情況下，高端MOSFET均為145mΩ，同步整流器分別為90mΩ或80mΩ。

輸入范圍為4.5V至18V，輸出范圍為0.6V至Vin的65%。

滿載時可實現> 90%的效率，并包含專有的“脈沖能量模式”(PEM)，以在10mA負載下維持高達86%的效率–“此功能使系統設計人員能夠實現所需的低待機功耗滿足“一瓦特倡議”。

封裝為3 x 3mm DFN 8引線封裝，帶有裸露的散熱墊–進入四層2盎司銅PCB的熱上升為50°C / W。這兩款器件均聲稱在15W時可實現57°C的溫升。

可用外部補償，允許瞬態響應和輸出紋波與各種輸出濾波器進行交換。

AOS市場經理Kenny Hu說：“高固定頻率工作和30ns的最低最小可控導通時間等特性使AOZ6762DI和AOZ6763DI特別適合對噪聲敏感的應用，例如無線路由器和音頻應用。”

預測的其他應用包括機頂盒，電纜調制解調器和液晶電視。